根据商务部消息，美国国家半导体技术中心（NSTC）运营商Natcast宣布了《芯片与科学法案》（CHIPS）旗舰研发设施及其预期地点，已确定的CHIPS旗舰研发设施包括设计与协作设施（DCF）、美国芯片极紫外加速器设施（EUV-A）。

1、纽约州奥尔巴尼极紫外加速器设施

2024年10月31日，美国商务部和Natcast宣布其第一个CHIPS旗舰研发设施EUV-A将在纽约州奥尔巴尼的纳米技术综合体系统中运行，并得到预计8.25亿美元的拟议联邦投资。该设施于2023年12月首次确定选址，通过建立新的尖端高数值孔径EUV中心，推动美国半导体技术创新。

EUV-A的主要功能将包括：①获得尖端EUV光刻工具和下一代研发能力，包括高数值孔径 EUV系统，到2025年达到标准数值孔径 EUV，2026年达到高数值孔径EUV；②召集并促进与工业界、学术界和政府之间的合作，以推动技术创新；③作为NSTC现场办公室为Natcas和NSTC研究人员提供支持；④支持提供、培养和发展有才能的劳动力计划；⑤增加NSTC会员及其参与度，建设NSTC设施开放、协作的研发环境。

2、加州桑尼维尔设计与协作设施

11月1日，美国商务部和Natcast宣布其第二个CHIPS旗舰研发设施DCF将建设在加州桑尼维尔的硅谷半导体设计生态系统内。DCF将在推进半导体设计研究、劳动力开发、投资和整个半导体价值链的合作方面发挥重要作用。

DCF将作为多功能设施，成为Natcas和NSTC运营关键地点，核心能力包括：①在芯片设计、电子设计自动化、芯片和系统架构以及硬件安全方面进行先进的半导体研究；②主办项目活动，包括NSTC劳动力卓越中心、设计支持网关和未来投资基金；③召集来自半导体生态系统的NSTC成员和利益相关者；④容纳各种管理功能。

预期设施将促进行业领导者、学术界、投资者和政府合作伙伴之间的合作，并通过NSTC卓越劳动力中心空间提供劳动力最佳实践和举措；还将为NSTC成员提供有价值的物理和数字资产以开发下一代半导体技术。原型设计和国家先进封装制造计划（NAPMP）先进封装试点设施作为第三个CHIPS旗舰研发设施正在筹备中。                                                              （李宏 赵梦珂）