9月20日，美国国防部（DOD）宣布将从《芯片与科学法案》获得的2.38亿美元资助国内8个微电子区域中心的投资建设工作[1]，旨在刺激国内微电子制造业的发展，减少军用芯片对亚洲供应链的依赖。8个中心将聚焦6个技术领域进行研发，包括：电子战、量子技术、边缘安全、物联网、5G和6G网络、人工智能硬件。项目成果将部署至船舶、飞机、坦克、远程弹药、通信设备、传感器等军用系统，以及“复制者”计划中提及的全域、可消耗的自主系统。

8个微电子中心具体包括：东北地区防御技术中心，获资4000万美元，由纽约州立大学理工学院领导；西南先进原型中心，获资3980万美元，由亚利桑那州立大学领导；宽带隙半导体商业研发中心，获资3940万美元，由北卡罗来纳州立大学领导；硅十字路口微电子共享中心，获资3290万美元，由应用研究所领导；中西部微电子联盟中心，获资2430万美元，由中西部微电子联盟领导；加州国防电子和微型设备超级枢纽中心，获资2690万美元，由南加州大学领导；加州-太平洋-西北人工智能硬件中心，获资1530万美元，由斯坦福大学和加州大学伯克利分校领导；东北微电子联盟中心，获资1970万美元，由马萨诸塞州技术合作组织领导。                                         （杨况骏瑜）