4月8日，美国国防高级研究计划局（DARPA）推出“低温逻辑技术”（LTLT）项目^[1]，旨在开发极低温的器件技术，以克服高性能计算面临的功率效率限制。

LTLT项目旨使电子器件在接近液氮温度（约零下196摄氏度）下运行时，实现功率性能的显著提升。该项目将通过对先进的超大规模集成（VLSI）工艺进行修改，开发高性能、低温的CMOS鳍式场效应晶体管（FinFET），最终与在室温下运行的最新中央处理器相比，性能/功耗能够提高25倍。LTLT项目分为两个独立的研究领域。

（1）专注于研发和提供一种先进CMOS制造技术，能够集成低温晶体管、在零下196摄氏度下开关能量降低25倍的静态随机存取存储器（SRAM）单元以及配套的电路/系统设计。

（2）探索高风险、高回报的FinFET VLSI兼容解决方案，以应对零下196摄氏度的个别技术挑战，包括：具有新型开关或传输机制的超低功耗、高速缩放晶体管；紧凑、高速、低能耗的SRAM单元；利用新型“低温逻辑技术”晶体管和存储器单元实现45倍性能/功率提升的新电路技术。                                           （张娟）