美国DARPA公布电子复兴计划第二阶段研发重点
ERI第二阶段致力于解决3个关键问题:支持国内制造业针对差异化需求开发相应能力;投资芯片安全研发;在ERI项目之间创建新联系,并在国防应用中展示最终的技术。
1、打造新型电子制造能力
为打造差异化的美国国内制造能力,ERI第二阶段将探索传统CMOS缩放的补充和替代方案。“面向极端可扩展性的封装光子”(PIPES)项目是该领域的第一个项目,将研究能在芯片上直接应用光学缩放的方法。PIPES项目还将致力于创建一个国内生态系统,使商业用户和国防部用户能长期获得这些光子学领域的新能力。通过大幅降低数字微电子技术移动数据的能量需求和挑战,该项目可减少将数百GPU相连所需的工作量,并实现大规模并行性,为机器学习、大规模仿真和先进传感器等数据密集型应用提供支持。其他项目同样关注新型制造能力和差异化、高性能电子产品的开发。例如,将微机电系统和射频组件直接集成入先进电路与半导体制造工艺。
2、实现电子组件的可追溯性
ERI第二阶段将致力于实现电子组件从设计到应用的可追溯性,以及具备安全和隐私保护功能的电子产品的开发。潜在的项目将关注能抵御安全风险的电子产品,这些工作将以ERI计划的设计与架构研究方向及相关项目为基础,例如“基于硬件和固件集成的系统安全性”(SSITH)项目,其致力于解决硬件安全和验证挑战。
3、促进ERI的国防应用
ERI第二阶段还将研究如何加强ERI各项工作(从基础研究到技术应用)间的联系,以及所开发的技术在国防系统中的应用。项目和最终用户间的联系是ERI计划最终成功的关键,正在开展的项目需确保源自ERI的技术进步能大幅提升国家安全水平。潜在研究领域包括ERI研究成果在大规模物理仿真、认知射频系统、下一代卫星、网络安全等领域的应用。 (张娟)
[1] DARPA Announces Next Phase of Electronics Resurgence Initiative. https://www.darpa.mil/news-events/2018-11-01a