2016年3月5日，“半导体科技发展”技术科学论坛在中科院半导体所学术会议会议中心召开。论坛由中国科学院信息技术科学部主办，中科院半导体所承办。中国科学院李未院士、李树深院士、黄如院士、刘明院士以及来自相关高校和科研院所的三十余位专家、近百名学生参加了会议。

　　信息技术科学部主任李未院士在致辞中指出，今年是“十三五”的开局之年，十八届五中全会对新时期深入实施创新驱动发展战略作出了一系列战略设计和部署，更加强调发挥科技创新在全面创新中的引领作用。半导体作为信息社会的基石，无论对于科技发展还是经济发展都十分重要。面对世界科技革命和产业变革的历史性交汇，我国必须推动半导体学科的创新发展，积极培育相关产业，才能把握机遇，抢占未来国际竞争的制高点。

　　本次论坛共有8个专题报告。中科院半导体研究所李晋闽研究员、中科院长春光学与物理研究所申德振研究员和中科院半导体研究所祝宁华研究员分别作了题为“半导体照明关键技术研究进展及趋势”、“ZnO基光电器件研究”和“半导体集成光电子器件及基础研究”的学术报告。李晋闽认为：“半导体照明已经确立了在照明产业变革中的主导地位，也成为了第三代半导体材料成功应用的示范。解决氮化物材料与器件的基础问题成为发展第三代半导体材料与器件的重要途径，将开启微电子与光电子携手并进的时代。”申德振主要介绍了ZnO作为紫外激光器件和紫外探测器件的优点和重要进展，强调只要坚持努力，ZnO基深紫外激光方面必取得重大突破。祝宁华在报告中阐述了高速光电子技术发展趋势、我国光电子集成技术研究进展等内容，指出要开展光电子集成芯片的相关基础科学和技术问题研究，实现用于大容量高速信息传输、处理、交换、互连和接收等功能的光电子集成芯片，才能突破信息技术面临的诸多瓶颈问题，全面支撑国家重大战略和需求。

　　北京大学沈波教授和浙江大学杨德仁教授分别作了题为“大失配、强极化氮化物半导体量子结构的高质量外延生长探索”和“硅材料--从微电子、纳电子到光电子”的学术报告。沈波指出半导体照明的发展趋势是从光效驱动转向成本驱动、品质驱动，GaN基微波功率器件从军用向民用领域迅速发展，氮化物半导体材料向全组分可调方向发展。杨德仁主要介绍了直拉硅单晶杂质工程、纳米硅材料生长与制备、硅基光电子发光材料与器件等方面的内容。

　　清华大学魏少军教授、中科院微电子研究所叶甜春研究员和国防科学技术大学陈书明教授分别做了题为“集成电路技术发展中的几个瓶颈问题”、“中国集成电路制造产业链创新发展情况”和“高端数字信号处理器集成电路技术前沿”的学术报告。魏少军从摩尔定律及未来走向出发，讨论了当前集成电路技术在工艺、材料、能效、器件结构等方面存在的瓶颈问题，并提出可重构计算通过对电路架构的创新，可极大地提高计算效率。叶甜春介绍了我国集成电路制造业创新发展的总体目标，以及在过去几个五年计划中对关键技术和工艺的研究和成果，并对十三五规划集成电路研究做了展望。陈书明介绍了国内外对高端数字信号处理器集成电路前沿技术的研究现状，重点讲述了在小尺寸器件、复杂电路、新器件结构中，辐射环境单粒子效应的研究挑战和取得的成果。

　　与会的院士、专家结合国家战略需求，深入探讨了半导体科技的前沿与未来，提出了许多真知灼见。本次论坛的报告内容和研讨成果不仅为我国半导体学科及相关产业的创新发展提出了有益的意见和建议，而且还将推动信息技术科学部部署的“半导体科学与技术”学科发展战略研究，为项目成果提供重要参考。

　　（中科院学部工作局技术信息办公室）